MOS管型号：
HC037N06L中压MOS:60V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到60V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。
HC037N06L参数：60V 5A TO-252 N沟道MOS管/场效应管：60V 5A 封装：TO-252沟道：N沟道,产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品,公司免费提供HC037N06L样品，并提供产品运用的技术支持
产品型号：HC160N10LS参数：100V5A ，丝印：HC510 ，类型：N沟道场效应管，内阻155mR，低结电容400pF， 封装：SOT23-3，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压
产品型号：HC160N10L参数：100V10A ，类型：N沟道场效应管，内阻145mR，低结电容400pF， 封装：TO-252，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压
产品型号：HC085N10L参数：100V15A ，类型：N沟道场效应管，内阻70mR，低结电容525pF， 封装：SOT89，低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压
温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，低内阻，低结电容，特别适合频率要求高的高频雾化器、香薰机、加湿器等，出货量非常大，产品稳定成熟，供货充足。
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装 内阻22mR
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装 内阻30mR
型号：HC1033D N沟道场效应管 100V8A DFN3*3封装 内阻145毫欧
型号：HC1019D N沟道场效应管 100V14A DFN3*3封装 内阻84毫欧
型号：HC1006DD N沟道场效应管 100V30A DFN3*3封装 内阻20毫欧
型号：HC6033D N沟道场效应管 60V13A DFN3*3封装 内阻70毫欧
型号：HC6019D N沟道场效应管 60V20A DFN3*3封装 内阻30毫欧
型号：HC5511D N沟道场效应管 55V40A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装 内阻13毫欧
型号：HC3039D N沟道场效应管 30V25A DFN3*3封装 内阻24毫欧
型号：HC1519D N沟道场效应管 150V6A DFN3*3封装 内阻238毫欧
产品型号过多，无法一一陈列，如需咨询，请电联