MOS管型号:HG021N10L
MOS管参数:100V30A
内阻:22mR(VGS=4.5V)
结电容:1880pF
类型:SGT工艺NMOS
开启电压:1.8V
封装:TO-252
惠海HG021N10L特点:高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺,开关损耗小
应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用
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东莞市惠海半导体有限公司
公司介绍 hg021n10l产品
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100V场效应管30N10低结电容低内阻HG021N10L
发布日期 :2021-03-30 09:09访问:4次发布IP:113.78.65.208编号:6858708
详细介绍
惠海半导体--中低压场效率管(MOSFET)
MOS管型号:HG021N10L MOS管参数:100V30A 内阻:22mR(VGS=4.5V) 结电容:1880pF 类型:SGT工艺NMOS 开启电压:1.8V 封装:TO-252 惠海HG021N10L特点:高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺,开关损耗小 应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用 公司主营产品:30V、60V、100V、150V全系列nmos管,2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N10、30N10、35N10、40N10、20N06、25N06、30N06、40N06、50N06、60N06、2N15、8N15等相关产品 相关分类 |