东莞市惠海半导体有限公司20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售。
【MOS原厂】
型号:HC3600M
参数:30V8A
类型:N沟道场效应管
内阻22mR
低结电容445pF
封装:贴片(SOT23-3)
低开启电压1.5V
低结电容 低内阻
低结电容 低开启电压
温升低 转换效率高
过电流大 抗冲击能力强
HC3600M实际电压可以达到30V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。
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30V大电流小体积MOS管 DFN3*3小封装
发布日期 :2021-03-30 09:09访问:5次发布IP:113.78.67.116编号:6881537
详细介绍
东莞惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 , 大量现货 量大价优 欢迎选购,低内阻,结电容小,采用沟槽工艺,性能优越。
东莞市惠海半导体有限公司20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售。 【MOS原厂】 型号:HC3600M 参数:30V8A 类型:N沟道场效应管 内阻22mR 低结电容445pF 封装:贴片(SOT23-3) 低开启电压1.5V 低结电容 低内阻 低结电容 低开启电压 温升低 转换效率高 过电流大 抗冲击能力强 HC3600M实际电压可以达到30V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。 相关产品 相关分类 |