v MOS管参数：100V15A（15N10）
v 低内阻：60mR（VGS=10V）
v 低结电容：310pF
v 类型：SGT工艺NMOS
v 低开启电压：1.8V
v 封装：TO-252
v HG080N10L 特点：
v 高频率 大电流
v 低开启电压 低内阻 结电容小
v 低消耗 温升低 转换效率高
v 过电流达 抗冲击能力强
v SGT工艺 开关损耗小
HG080N10L可用各种RGBW调光控制器、马达驱动电机，水磊控制器、于汽车大灯驱动电源，节日灯、圣诞灯、电子烟、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机，LED电源，LED电动车大灯驱动电源、LED汽车大灯电源，LED景观灯电源、LED舞台灯电源、LED车灯电源，LED舞台灯驱动电源，LED舞台灯控制板，LED景观照明驱动电源，LED灯驱动电源,雾化器，香薰机，加湿器、美容仪，美甲仪、安防电源。
惠海半导体为客户提供全套技术支持，以及免费样片测试。