惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
MOS管型号：HC160N10LS
丝印：HC510
参数：100V5A（5N10）
内阻：145mR（VGS=10V）
结电容：405pF
类型：沟槽型NMOS
开启电压：1.8V
封装：SOT23-3
应用领域：LED驱动电源，舞台灯、帕灯、车灯等LED照明应用；无线充、快充、移动电源、太阳能电源、POE电源；电子点烟器、无刷电机；美容仪、香薰机、补水仪、加湿器、脱毛仪、雾化器、电动牙刷等小家电电源开关应用。
MOS管型号:HG5511D
参数：40A60V
类型：N沟道场效应管 SGT工艺NMOS
内阻11mR
低结电容550pF，
封装：贴片（DFN3333）
低开启电压1.8V
高频率大电流
优势：低结电容，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强，一致性好
应用领域：可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、LED驱动电源、马达驱动电机、蓝牙音箱、移动充、POE交换机电源等产品，。
