惠海半导体--中低压场效率管(MOSFET)
MOS管型号:HC021N10L
MOS管参数:100V 35A
内阻:22mR(VGS=4.5V)
结电容:1880pF
类型:SGT工艺NMOS
开启电压:1.8V
封装:TO-252
【惠海HC021N10L特点:高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、开关损耗小】
应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用。
产品分类 联系我们
信息搜索
东莞市惠海半导体有限公司
公司介绍 |
100VMOS管选型表对照大全及MOS管【惠海半导体】
发布日期 :2021-04-13 10:01访问:1次发布IP:113.78.67.215编号:6982671
详细介绍
100VMOS管选型表对照大全及MOS管【惠海半导体】
惠海半导体--中低压场效率管(MOSFET) MOS管型号:HC021N10L MOS管参数:100V 35A 内阻:22mR(VGS=4.5V) 结电容:1880pF 类型:SGT工艺NMOS 开启电压:1.8V 封装:TO-252
应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用。 相关产品 相关分类 |